企业简介
中国电子科技集团公司第五十五研究所 main business:null and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
welcome new and old customers to visit our company guidance, my company specific address is: 江苏省南京市白下区中山东路524号.
If you are interested in our products or have any questions, you can give us a message, or contact us directly, we will receive your information, will be the first time in a timely manner contact with you.
中国电子科技集团公司第五十五研究所的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 11634947 |  |
NEDI | 2012-10-22 | 书籍；印刷出版物；期刊；杂志(期刊)；新闻刊物 | 查看详情 |
| 2 | 12117084 |  |
图形 | 2013-01-29 | 学校(教育);教育;培训;安排和组织会议;文字出版(广告宣传材料除外);书籍出版;在线电子书籍和杂志的出版; | 查看详情 |
| 3 | 11635027 |  |
NEDI | 2012-10-22 | 技术研究；研究和开发(替他人)；质量控制；质量检测；质量评估；计算机编程；计算机软件设计；计算机硬件设计和开发咨询；计算机系统设计；计算机软件安装 | 查看详情 |
| 4 | 12117041 |  |
图形 | 2013-01-29 | 半导体；硅外延片；集成电路；放大器；限幅器(电)；电子管；半导体器件；陶滤波器；传感器；视频显示屏 | 查看详情 |
| 5 | 11634982 |  |
NEDI | 2012-10-22 | 学校(教育)；教育；培训；安排和组织会议；文字出版(广告宣传材料除外)；书籍出版；在线电子书籍和杂志的出版 | 查看详情 |
| 6 | 891075 |  |
MO | 信号器具，数量指示器，通讯导航设备,音像设备，摄影电影用具及仪器，一般测量仪器，仪表，电测量仪器，科学仪器，导弹控制盒,电子计算机及外部设备，假币检测器，硅外延片，多晶硅,电子行业用电子元器件，集成电路，光电器件，半导体器件，警报装置，电铃，电池,充电器，汽车用雪茄点火器,电除尘设备，电阻器，电容器，荧光屏，电子束管，集成电路板，示波器，传感器，衡器，自动计量器 | 查看详情 | |
| 7 | 11634921 |  |
NEDI | 2012-10-22 | 天线；电子信号发射器；雷达设备；发射器(电信)；调制解调器；卫星导航仪器；信号转发器；探测器；测量器械和仪器；高度计；风速计；测距仪；半导体；硅外延片；集成电路；放大器；限幅器(电)；电子管；半导体器件；陶滤波器；传感器；视频显示屏 | 查看详情 |
| 8 | 12117193 |  |
图形 | 2013-01-29 | 技术研究;替他人研究和开发新产品;质量控制;质量检测;质量评估;计算机编程;计算机软件设计;计算机硬件设计和开发咨询;计算机系统设计;计算机软件安装; | 查看详情 |
| 9 | 12117058 |  |
图形 | 2013-01-29 | 书籍；印刷出版物；期刊；杂志(期刊)；新闻刊物 | 查看详情 |
中国电子科技集团公司第五十五研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN1599037A | 硅半导体器件玻璃钝化工艺 | 2005.03.23 | 一种硅半导体器件玻璃钝化工艺，其特征在于：a.将配制钝化玻璃的各种氧化物或相应的氢氧化物或碳酸盐制成 |
| 2 | CN105676368A | 一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法 | 2016.06.15 | 本发明是一种硅基微环滤波器与磷化铟基光探测器异质集成单片制作方法：1)使用绝缘体上硅材料制作硅基微环 |
| 3 | CN1207747C | 等离子体显示屏弧形电极结构 | 2005.06.22 | 本发明涉及等离子体显示屏的电极结构，属于平板显示技术领域。本发明的目的在于提出一种彩色PDP显示屏维 |
| 4 | CN105826186A | 高表面质量碳化硅外延层的生长方法 | 2016.08.03 | 本发明公开一种高表面质量碳化硅外延层的生长方法，包括以下步骤：1)选取偏向<11‑20> |
| 5 | CN205303452U | 金刚石铜热沉材料 | 2016.06.08 | 本实用新型是金刚石铜双面覆铜热沉材料，其结构是由金刚石铜芯材L1和双面无氧铜片复合构成的三明治结构， |
| 6 | CN105755535A | 基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法 | 2016.07.13 | 本发明是一种基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法，其特征包括如下步骤：选择一半绝缘氮化 |
| 7 | CN104112890B | X波段低损耗高隔离度封装结构 | 2016.09.21 | 本发明是X波段低损耗高隔离度封装结构，包括四层陶瓷，A外部侧印地CY1、B外部侧印地CY2、内部上层 |
| 8 | CN106124954A | 碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法及系统 | 2016.11.16 | 本发明公开了一种碳化硅二极管和MOS管动态测试的限流保护方法，还公开了限流保护系统，包括时序控制器、 |
| 9 | CN1298029C | 射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法 | 2007.01.31 | 本发明提供一种射频台式硅二极管电泳沉积玻璃钝化共形膜制备方法。即在通用的锌系钝化玻璃或铅系钝化玻璃组 |
| 10 | CN106098749A | 一种硅衬底上AlGaN/GaN异质结构及其生长方法 | 2016.11.09 | 本发明公开了一种硅衬底上AlGaN/GaN异质结构及生长方法，首先通入氨气对Si(111)衬底进行表 |
| 11 | CN103864009B | 利用介质膜掩膜板实现具有斜坡状边缘金属薄膜图形方法 | 2016.08.24 | 本发明涉及的是一种基于介质膜掩膜板沉积工艺的斜坡边缘金属薄膜图形的制备方法，使用具有图形化通孔结构的 |
| 12 | CN105810575A | 一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法 | 2016.07.27 | 本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种GaN HEMT上低温欧姆接触的制备方法，具体实施步骤包括：( |
| 13 | CN103710757B | 一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法 | 2016.06.29 | 本发明公开了一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法，包括：（1）将衬底放入金属有机物化学气相沉积系 |
| 14 | CN101145516A | 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法 | 2008.03.19 | 本发明针对硅基氮化物单晶薄膜存在较大的失配应力而产生高密度裂纹和位错的问题，发明一种在成核层上生长薄 |
| 15 | CN1194366C | 等离子体显示板银电极制作方法 | 2005.03.23 | 本发明提供一种在使用银电极的PDP中，比较简单地控制电极断线的等离子体显示板银电极制作方法。该等离子 |
| 16 | CN103710747B | 一种N源间隔输送制备氮化物单晶薄膜及方法 | 2016.06.08 | 本发明是一种N源间隔供源制备的氮化物单晶薄膜及方法，其结构是在单晶衬底上是氮化铝AlN缓冲层；在氮化 |
| 17 | CN101145524A | 一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法 | 2008.03.19 | 本发明是一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法，其工艺为，在衬底上生长成核层，AlGaN缓冲层和GaN |
| 18 | CN101634672A | 基于未知材料基板的微波在片测试方法 | 2010.01.27 | 本发明涉及的是一种基于未知材料基板的微波元件在片测试方法。首先在基板上制备适合于微波在片测试的TRL |
| 19 | CN1442826A | 用介质层校正电场分布非线性的触摸屏 | 2003.09.17 | 本发明涉及一种通过检测一层具有电场分布的导电膜上触摸点的电信号来定位触摸点坐标的触摸屏，其特征是围绕 |
| 20 | CN106601660A | 一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种基极多晶硅自对准套准结构及其制备方法，该自对准套准结构包括具有局部氧化区的SiO<s |
| 21 | CN106597249A | W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法 | 2017.04.26 | 本发明是W波段低噪声功率放大芯片的在片测试系统及测试方法，其结构包括处理器、探针台、噪声仪、电源，其 |
| 22 | CN104392690B | 应用于具有公共阳极的AMOLED像素单元电路 | 2017.04.19 | 本发明公开了一种应用于具有公共阳极的AMOLED像素单元电路，包括调整管MN1、驱动管MP1、开关管 |
| 23 | CN104052489B | 一种应用于硅基OLED微显示驱动芯片的电流型DAC | 2017.04.19 | 本发明公开了一种应用于硅基OLED微显示驱动芯片的电流型DAC，包括第一译码器、第二译码器、延时电路 |
| 24 | CN104269382B | 基于高温共烧陶瓷技术的X波段高可靠表贴型陶瓷外壳 | 2017.04.19 | 本发明是一种基于高温共烧陶瓷技术的新型X波段高可靠表贴型陶瓷外壳，其结构包括陶瓷腔内芯片粘接区、微带 |
| 25 | CN106571307A | 高热流密度散热用微流道热沉制备方法 | 2017.04.19 | 本发明提出的是一种高热流密度散热用微流道热沉制备方法,包括如下步骤:a)材料选择；b)在板材内部制作 |
| 26 | CN106568230A | 一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置 | 2017.04.19 | 本发明是一种基于半导体致冷片的InGaAs光电阴极致冷装置，利用InGaAs阴极与金属封接环的电气连 |
| 27 | CN103811364B | 一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法 | 2017.03.29 | 本发明是一种实现基于BCB的磷化铟微波电路多层互联方法，包括以下步骤：1）在磷化铟（InP）衬底上光 |
| 28 | CN104593861B | 一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法 | 2017.03.29 | 本发明公开一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成 |
| 29 | CN103779405B | GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管材料及方法 | 2017.03.29 | 本发明是GaAs衬底上生长赝配高电子迁移晶体管半导体材料的外延结构及方法，其结构是半绝缘GaAs衬底 |
| 30 | CN106544643A | 一种氮化物薄膜的制备方法 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种氮化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：在氮化物同质外延生长过程中，持续不间断地向反应室 |
| 31 | CN106526934A | 提高液晶屏组件加热均匀性的方法及加热结构 | 2017.03.22 | 一种高集成可调节的液晶屏组件均匀加热装置，包括基板玻璃、发热膜层、加热电阻和加热电极，其特征在于所述 |
| 32 | CN105374896B | 一种电子轰击型雪崩二极管 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种电子轰击型雪崩二极管，其结构从下到上依次是背面电极，此电极为Ti/Pt/Au电极；衬 |
| 33 | CN104916708B | 一种HPD器件 | 2017.03.15 | 本发明提出一种HPD器件。包括光电阴极组件、管壳结构组件、阳极组件、挡板和雪崩放大器件芯片；采用雪崩 |
| 34 | CN106494107A | 一种用于微电子封装外壳的激光标刻方法 | 2017.03.15 | 本发明是一种用于微电子封装外壳的激光标刻方法，该方法包括如下步骤：1）用AutoCAD或设备自带软件 |
| 35 | CN103956344B | 一种适合平行封焊工艺的陶瓷管帽及其制造方法 | 2017.03.08 | 本发明提供的一种适合平行封焊工艺的陶瓷管帽，包括自下而上依次设置的金属焊环P<sub>1</sub> |
| 36 | CN106449505A | 一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种用于半导体超薄器件的背面工艺方法，其主要步骤有：1）表面涂覆高温键合剂的圆片与涂覆低 |
| 37 | CN103887335B | 一种提升频率特性的赝配高电子迁移率晶体管的制作方法 | 2017.02.22 | 本发明是一种赝配高电子迁移率晶体管的制作方法，本发明是在普通的双凹槽工艺的基础上进行的，利用介质层( |
| 38 | CN103646961B | 含高阻寄生导电层的硅基III族氮化物薄膜及生长方法 | 2017.02.22 | 本发明是硅基III族氮化物薄膜高阻寄生导电层及生长方法，其结构包含硅衬底和硅基III族氮化物薄膜，其 |
| 39 | CN103986435B | 小型化宽阻带抑制LTCC低通滤波器 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种小型化宽阻带抑制LTCC低通滤波器，其结构包括一个输入端口P1、一个输出端口P2、第 |
| 40 | CN106409824A | 一种晶体管集成的方法 | 2017.02.15 | 本发明是一种磷化铟异质结双极型晶体管与硅金属氧化物半导体场效应晶体管集成的方法，包括以下步骤：（1） |
| 41 | CN106409691A | 一种封装外壳内腔不同位置的不同厚度金层的制备方法 | 2017.02.15 | 本发明提出的是一种封装外壳内腔不同位置不同厚度金层的制备方法，包括以下步骤：（1）多层共烧陶瓷金属化 |
| 42 | CN104599926B | 负电子亲和势冷阴极X射线管 | 2017.01.25 | 本发明为一种负电子亲和势冷阴极X射线管，其特征在于：冷阴极由电发射型的负电子亲和势冷阴极构成，其中冷 |
| 43 | CN103853393B | 提高夜视兼容红外触摸屏夜视性能的方法 | 2017.01.11 | 一种提高夜视兼容红外触摸屏夜视性能的方法，其特征是在LED红外光源前放置三片滤光片组成一滤光片准直系 |
| 44 | CN104008979B | 封装外壳引线的二维联排设计方法 | 2017.01.04 | 本发明是封装外壳引线的二维联排设计方法，包括以下步骤：（1）根据引线所配套陶瓷部件的结构和外形尺寸， |
| 45 | CN103915334B | 双层多晶硅双极型晶体管的制造方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种高性能的双层多晶硅双极型晶体管的制备方法，包括如下步骤：1）采用LOCOS和CVD淀 |
| 46 | CN104637770B | 一种用于球面光电倍增管的同轴输出结构 | 2017.01.04 | 本发明是一种用于球面光电倍增管的同轴输出结构，包括内导体、介质、外导体；其中内导体通过装架的焊接形式 |
| 47 | CN103744221B | 提高显示器强光环境下显示对比度的方法 | 2017.01.04 | 一种提高显示器强光环境下显示对比度的方法，其特征是采用以下至少一种方法来提高显示器强光环境下显示的对 |
| 48 | CN104037075B | 耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法 | 2017.01.04 | 本发明是一种耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，该方法包括以下步骤：1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射 |
| 49 | CN103757674B | 一种钨铜复合材料的镀镍方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种钨铜复合材料的镀镍方法，包括除油、蚀刻、活化、镀薄镍、热处理、除油、活化和镀镍等步骤 |
| 50 | CN103943459B | 一种基于外延层转移实现N面GaN的方法 | 2017.01.04 | 本发明是一种基于外延层转移实现N面GaN的方法，包括：1）用稀释的盐酸清洗Si基GaN、半导体圆片表 |
新闻中心
该公司还没有发布任何新闻
行业动态
该公司还没有发表行业动态
企业资质
该公司还没有上传企业资质
Map(The red dot in the figure below is 中国电子科技集团公司第五十五研究所 at the specific location, the map can drag, double zoom)
Tips: This site is 中国电子科技集团公司第五十五研究所 at mass public network free website, if you are the person in charge of the unit, please click here application personalized two after landing and update your business domain data, you can delete all of your unit page ads, all operations free of charge.
